КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыТранзисторы малой мощностиТранзисторы маломощныеAPT5017BVRG

APT5017BVRG, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 30А; 370Вт; TO247, MICROSEMI

Арт:
APT5017BVRG, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 30А; 370Вт; TO247, MICROSEMI
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: APT5017BVRG
  • Производитель: MICROSEMI
  • Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 30А; 370Вт; TO247
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)
    Заказать Цены указаны без НДС

    Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 30А; 370Вт; TO247 Технические параметры
    • Case: TO247
    • Channel kind: enhanced
    • Drain current: 30A
    • Drain-source voltage: 500V
    • Gate charge: 300нC
    • Gate-source voltage: ±30В
    • Housing: TO247
    • Kind of package: туба
    • Manufacturer: MICROSEMI
    • Mount: THT
    • Mounting: THT
    • On-State Resistance: 170mΩ
    • Package: TO247
    • Polarisation: unipolar
    • Polarity: полевой
    • Power dissipation: 370W
    • Technology: POWER MOS V®
    • Transistor type: N-MOSFET
    • Type of transistor: N-MOSFET
    • Мощность: 370W
    • Сопротивление в открытом состоянии: 170mΩ
    • Ток стока: 30A