КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыТранзисторы малой мощностиТранзисторы маломощныеAPT53N60BC6

APT53N60BC6, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 53А; 417Вт; TO247; CoolMOS™, MICROSEMI

Арт:
APT53N60BC6, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 53А; 417Вт; TO247; CoolMOS™, MICROSEMI
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: APT53N60BC6
  • Производитель: MICROSEMI
  • Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 53А; 417Вт; TO247; CoolMOS™
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)
    Заказать Цены указаны без НДС

    Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 53А; 417Вт; TO247; CoolMOS™ Технические параметры
    • Case: TO247
    • Channel kind: enhanced
    • Drain current: 53A
    • Drain-source voltage: 600V
    • Gate charge: 154нКл
    • Gate-source voltage: ±20В
    • Housing: TO247
    • Kind of package: туба
    • Manufacturer: MICROSEMI
    • Mount: THT
    • Mounting: THT
    • On-State Resistance: 70mΩ
    • Package: TO247
    • Polarisation: unipolar
    • Polarity: полевой
    • Power dissipation: 417W
    • Technology: CoolMOS™
    • Transistor type: N-MOSFET
    • Type of transistor: N-MOSFET
    • Мощность: 417W
    • Сопротивление в открытом состоянии: 70mΩ
    • Ток стока: 53A