Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 24А; 325Вт; TO247 Технические параметры
- Case: TO247
- Channel kind: enhanced
- Drain current: 24A
- Drain-source voltage: 600V
- Gate charge: 65нC
- Gate-source voltage: ±30В
- Housing: TO247
- Kind of package: туба
- Manufacturer: MICROSEMI
- Mount: THT
- Mounting: THT
- On-State Resistance: 250mΩ
- Package: TO247
- Polarisation: unipolar
- Polarity: полевой
- Power dissipation: 325W
- Technology: POWER MOS 7®
- Transistor type: N-MOSFET
- Type of transistor: N-MOSFET
- Мощность: 325W
- Сопротивление в открытом состоянии: 250mΩ
- Ток стока: 24A