Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -0,3А; 170мВт; SOT23 Технические параметры
- Drain current: -0.3A
- Drain-source voltage: -30V
- Gate charge: 2.2нC
- Gate-source voltage: ±8В
- Housing: SOT23
- Kind of package: лента
- Manufacturer: NEXPERIA
- Mount: SMD
- Mounting: SMD
- On-State Resistance: 1.65Ω
- Package: SOT23
- Polarisation: unipolar
- Polarity: полевой
- Transistor kind: logic level
- Transistor type: P-MOSFET
- Мощность: 0.17W
- Сопротивление в открытом состоянии: 1.65Ω
- Ток стока: -0.3A