Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -1,2А; 890мВт; SOT23 Технические параметры
- Drain current: -1.2A
- Drain-source voltage: -20V
- Gate charge: 6.5нC
- Gate-source voltage: ±8В
- Housing: SOT23
- Kind of package: бобина
- Manufacturer: NEXPERIA
- Mount: SMD
- Mounting: SMD
- On-State Resistance: 600mΩ
- Package: SOT23
- Polarisation: unipolar
- Polarity: полевой
- Transistor type: P-MOSFET
- Мощность: 0.89W
- Сопротивление в открытом состоянии: 600mΩ
- Ток стока: -1.2A