Транзистор: P-MOSFET; полевой; -300В; -0,21А; 1,5Вт; SOT223 Технические параметры
- Drain current: -0.21A
- Drain-source voltage: -300V
- Gate-source voltage: ±20В
- Housing: SOT223
- Kind of package: бобина
- Manufacturer: NEXPERIA
- Mount: SMD
- Mounting: SMD
- On-State Resistance: 17Ω
- Package: SOT223
- Polarisation: unipolar
- Polarity: полевой
- Transistor type: P-MOSFET
- Мощность: 1.5W
- Сопротивление в открытом состоянии: 17Ω
- Ток стока: -0.21A