BSP321PH6327XTSA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -0,79А; 1,8Вт; PG-SOT223, Infineon
Арт:
- добавить в избранное
- Арт:
- Наименование: BSP321PH6327XTSA1
- Производитель: Infineon
- Доп.наименование: Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -0,79А; 1,8Вт; PG-SOT223
- Склад:
Изображение товара дано только в качестве иллюстрации.
См. спецификацию продукта (pdf)
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -0,79А; 1,8Вт; PG-SOT223 Технические параметры
- Drain current: -0.79A
- Drain-source voltage: -100V
- Gate-source voltage: ±20В
- Housing: PG-SOT223
- Manufacturer: Infineon
- Mount: SMD
- Mounting: SMD
- On-State Resistance: 900mΩ
- Package: PG-SOT223
- Polarisation: unipolar
- Polarity: полевой
- Technology: SIPMOS™
- Transistor type: P-MOSFET
- Мощность: 1.8W
- Сопротивление в открытом состоянии: 900mΩ
- Ток стока: -0.79A
Документация
tmbsp321ph6327xtsa1.pdf