Транзистор: P-MOSFET; полевой; -50В; -0,12А; 420мВт; SOT23 Технические параметры
- Drain current: -0.12A
- Drain-source voltage: -50V
- Gate charge: 0.35нКл
- Gate-source voltage: ±20В
- Housing: SOT23
- Kind of package: бобина
- Manufacturer: NEXPERIA
- Mount: SMD
- Mounting: SMD
- On-State Resistance: 13.5Ω
- Package: SOT23
- Polarisation: unipolar
- Polarity: полевой
- Transistor type: P-MOSFET
- Мощность: 0.42W
- Сопротивление в открытом состоянии: 13.5Ω
- Ток стока: -0.12A