Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -50В; -0,1А; 445мВт; SOT363 Технические параметры
- Drain current: -0.1A
- Drain-source voltage: -50V
- Gate charge: 0.35нКл
- Gate-source voltage: ±20В
- Housing: SOT363
- Kind of package: бобина
- Manufacturer: NEXPERIA
- Mount: SMD
- Mounting: SMD
- On-State Resistance: 13.5Ω
- Package: SOT363
- Polarisation: unipolar
- Polarity: полевой
- Transistor type: P-MOSFET x2
- Мощность: 0.445W
- Сопротивление в открытом состоянии: 13.5Ω
- Ток стока: -0.1A