Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 100А; 250Вт; TO220-3 Технические параметры
- Drain current: 100A
- Drain-source voltage: 60V
- Gate charge: 44нКл
- Gate-source voltage: ±20В
- Housing: TO220-3
- Kind of package: туба
- Manufacturer: Texas Instruments
- Mount: THT
- Mounting: THT
- On-State Resistance: 3.3mΩ
- Package: TO220-3
- Polarisation: unipolar
- Polarity: полевой
- Radiator thickness: 1.14...1.4мм
- Technology: NexFET™
- Transistor type: N-MOSFET
- Мощность: 250W
- Сопротивление в открытом состоянии: 3.3mΩ
- Ток стока: 100A