FDC6306P, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -20В; -1,9А; 0,96Вт; SuperSOT-6, ON SEMICONDUCTOR
Арт:
- добавить в избранное
- Арт:
- Наименование: FDC6306P
- Производитель: ON SEMICONDUCTOR
- Доп.наименование: Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -20В; -1,9А; 0,96Вт; SuperSOT-6
Изображение товара дано только в качестве иллюстрации.
См. спецификацию продукта (pdf)
Технические параметры
- Корпус: SuperSOT-6
- Монтаж: SMD
- Мощность: 0.96Вт
- Ток стока: -1.9А
- Полярность: полевой
- Технология: PowerTrench®
- Вид упаковки: бобина
- Заряд затвора: 4.2нC
- Тип транзистора: P-MOSFET x2
- Напряжение сток-исток: -20В
- Напряжение затвор-исток: ±8В
- Сопротивление в открытом состоянии: 0.27Ом