BSH201.215, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -0,19А; 170мВт; SOT23, NEXPERIA
Арт:
- добавить в избранное
- Арт:
- Наименование: BSH201.215
- Производитель: NEXPERIA
- Доп.наименование: Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -0,19А; 170мВт; SOT23
- Склад:
Изображение товара дано только в качестве иллюстрации.
См. спецификацию продукта (pdf)
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -0,19А; 170мВт; SOT23 Технические параметры
- Case: SOT23
- Drain current: -0.19A
- Drain-source voltage: -60V
- Features of semiconductor devices: logic level
- Gate charge: 3нКл
- Gate-source voltage: ±20V
- Kind of package: reel
- Manufacturer: NEXPERIA
- Mounting: SMD
- On-State Resistance: 4.25Ω
- Polarisation: unipolar
- Transistor type: P-MOSFET
- Мощность: 0.17W
Документация
tmbsh201.pdf