КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыТранзисторы малой мощностиТранзисторы маломощныеIXTJ4N150

IXTJ4N150, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1500В; 2,5А; 110Вт; ISOTO247™; 900нс, IXYS

Арт:
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: IXTJ4N150
  • Производитель: IXYS
  • Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1500В; 2,5А; 110Вт; ISOTO247™; 900нс
  • Склад:
    Заказать Цены указаны без НДС

    Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1500В; 2,5А; 110Вт; ISOTO247™; 900нс Технические параметры
    • Case: ISOTO247™
    • Channel kind: enhanced
    • Drain current: 2.5A
    • Drain-source voltage: 1.5kV
    • Gate charge: 44.5нКл
    • Gate-source voltage: ±30V
    • Kind of package: tube
    • Manufacturer: IXYS
    • Mounting: THT
    • On-State Resistance: 6Ω
    • Polarisation: unipolar
    • Power dissipation: 110W
    • Reverse recovery time: 900ns
    • Type of transistor: N-MOSFET