КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыТранзисторы малой мощностиТранзисторы маломощныеIXTJ6N150

IXTJ6N150, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1500В; 3А; 125Вт; ISOTO247™; 1,5мкс, IXYS

Арт:
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: IXTJ6N150
  • Производитель: IXYS
  • Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1500В; 3А; 125Вт; ISOTO247™; 1,5мкс
  • Склад:
    Заказать Цены указаны без НДС

    Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1500В; 3А; 125Вт; ISOTO247™; 1,5мкс Технические параметры
    • Case: ISOTO247™
    • Channel kind: enhanced
    • Drain current: 3A
    • Drain-source voltage: 1.5kV
    • Gate charge: 67нКл
    • Gate-source voltage: ±30V
    • Kind of package: tube
    • Manufacturer: IXYS
    • Mounting: THT
    • On-State Resistance: 3.85Ω
    • Polarisation: unipolar
    • Power dissipation: 125W
    • Reverse recovery time: 1.5µs
    • Type of transistor: N-MOSFET