КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыТранзисторы малой мощностиТранзисторы маломощныеSCT20N120

SCT20N120, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 16А; 175Вт; HIP247™, STM

Арт:
SCT20N120, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 16А; 175Вт; HIP247™, STM
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: SCT20N120
  • Производитель: STM
  • Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 16А; 175Вт; HIP247™
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)
    Заказать Цены указаны без НДС

    Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 16А; 175Вт; HIP247™ Технические параметры
    • Case: HIP247™
    • Drain current: 16A
    • Drain-source voltage: 1.2kV
    • Gate charge: 45нКл
    • Gate-source voltage: -10...25V
    • Kind of package: tube
    • Manufacturer: STM
    • Mounting: THT
    • On-State Resistance: 220mΩ
    • Polarisation: unipolar
    • Power dissipation: 175W
    • Technology: SiCFET
    • Type of transistor: N-MOSFET