STI24N60M2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 12А; 150Вт; I2PAK, STM
Арт:
- добавить в избранное
- Арт:
- Наименование: STI24N60M2
- Производитель: STM
- Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 12А; 150Вт; I2PAK
- Склад:
Изображение товара дано только в качестве иллюстрации.
См. спецификацию продукта (pdf)
Технические параметры
- Technology: SuperMesh™
- Drain current: 12A
- Polarisation: unipolar
- Kind of package: tube
- Gate-source voltage: ±25V
- Drain-source voltage: 600V
- Features of semiconductor devices: ESD protected gate
- Mounting: THT
- Case: I2PAK
- Type of transistor: N-MOSFET
- On-State Resistance: 190mΩ
- Power dissipation: 150W