STN3P6F6, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -2А; 2,6Вт; SOT223, STM
Арт:
- добавить в избранное
- Арт:
- Наименование: STN3P6F6
- Производитель: STM
- Доп.наименование: Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -2А; 2,6Вт; SOT223
- Склад:
Изображение товара дано только в качестве иллюстрации.
См. спецификацию продукта (pdf)
Технические параметры
- Technology: SuperMesh™
- Drain current: -2A
- Polarisation: unipolar
- Kind of package: tape
- Gate-source voltage: ±20V
- Drain-source voltage: -60V
- Features of semiconductor devices: ESD protected gate
- Mounting: SMD
- Case: SOT223
- Type of transistor: P-MOSFET
- On-State Resistance: 160mΩ
- Power dissipation: 2.6W