Список комплектующих, который есть на нашем складе в Санкт-Петербурге и доступен для заказа.
Подробнее

КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыТранзисторы малой мощностиТранзисторы маломощныеYJQ4666B

YJQ4666B, Транзистор: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; полевой; -16В; -5,6А; 2,2Вт, YANGJIE TECHNOLOGY

Арт:
YJQ4666B, Транзистор: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; полевой; -16В; -5,6А; 2,2Вт, YANGJIE TECHNOLOGY
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: YJQ4666B
  • Производитель: YANGJIE TECHNOLOGY
  • Доп.наименование: Транзистор: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; полевой; -16В; -5,6А; 2,2Вт
  • Склад:
    Заказать Цены указаны без НДС

    Технические параметры
    • Technology: TRENCH POWER LV
    • Drain current: -5.6A
    • Gate charge: 7.2nC
    • Channel kind: enhanced
    • Polarisation: unipolar
    • Kind of package: tape
    • Gate-source voltage: ±10V
    • Drain-source voltage: -16V
    • Pulsed drain current: -28A
    • Mounting: SMD
    • Case: DFN2020-6
    • Type of transistor: P-MOSFET
    • On-State Resistance: 60mΩ
    • Power dissipation: 2.2W