AOSD62666E, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 7,5А; 1,6Вт; SO8, AOS
Арт:
- добавить в избранное
- Арт:
- Наименование: AOSD62666E
- Производитель: AOS
- Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 7,5А; 1,6Вт; SO8
- Склад:
Изображение товара дано только в качестве иллюстрации.
См. спецификацию продукта (pdf)
Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 7,5А; 1,6Вт; SO8 Технические параметры
- Case: SO8
- Channel kind: enhanced
- Drain current: 7.5A
- Drain-source voltage: 60V
- Features of semiconductor devices: ESD protected gate
- Gate charge: 6.5нКл
- Gate-source voltage: ±20V
- Manufacturer: AOS
- Mounting: SMD
- On-State Resistance: 14.5mΩ
- Polarisation: unipolar
- Power dissipation: 1.6W
- Type of transistor: N-MOSFET x2
Документация
tmaosd62666e.pdf