Список комплектующих, который есть на нашем складе в Санкт-Петербурге и доступен для заказа.
Подробнее

КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыТранзисторы малой мощностиТранзисторы маломощныеTJ30S06M3L,LXHQ(O

TJ30S06M3L,LXHQ(O, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -30А; 68Вт; DPAK, Toshiba

Арт:
TJ30S06M3L,LXHQ(O, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -30А; 68Вт; DPAK, Toshiba
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: TJ30S06M3L,LXHQ(O
  • Производитель: Toshiba
  • Доп.наименование: Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -30А; 68Вт; DPAK
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)
    Заказать Цены указаны без НДС

    Технические параметры
    • Drain current: -30A
    • Gate charge: 80nC
    • Channel kind: enhanced
    • Polarisation: unipolar
    • Kind of package: tape
    • Gate-source voltage: -20...10V
    • Drain-source voltage: -60V
    • Features of semiconductor devices: ESD protected gate
    • Mounting: SMD
    • Case: DPAK
    • Type of transistor: P-MOSFET
    • On-State Resistance: 16.8mΩ
    • Power dissipation: 68W