TJ30S06M3L,LXHQ(O, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -30А; 68Вт; DPAK, Toshiba
Арт:
- добавить в избранное
- Арт:
- Наименование: TJ30S06M3L,LXHQ(O
- Производитель: Toshiba
- Доп.наименование: Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -30А; 68Вт; DPAK
- Склад:
Изображение товара дано только в качестве иллюстрации.
См. спецификацию продукта (pdf)
Технические параметры
- Drain current: -30A
- Gate charge: 80nC
- Channel kind: enhanced
- Polarisation: unipolar
- Kind of package: tape
- Gate-source voltage: -20...10V
- Drain-source voltage: -60V
- Features of semiconductor devices: ESD protected gate
- Mounting: SMD
- Case: DPAK
- Type of transistor: P-MOSFET
- On-State Resistance: 16.8mΩ
- Power dissipation: 68W