TK10E60W,S1VX(S, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 9,7А; 100Вт; TO220, Toshiba
Арт:
- добавить в избранное
- Арт:
- Наименование: TK10E60W,S1VX(S
- Производитель: Toshiba
- Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 9,7А; 100Вт; TO220
- Склад:
Изображение товара дано только в качестве иллюстрации.
См. спецификацию продукта (pdf)
Технические параметры
- Drain current: 9.7A
- Gate charge: 20nC
- Channel kind: enhanced
- Polarisation: unipolar
- Kind of package: tube
- Gate-source voltage: ±30V
- Drain-source voltage: 600V
- Mounting: THT
- Case: TO220
- Type of transistor: N-MOSFET
- On-State Resistance: 380mΩ
- Power dissipation: 100W