КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыТранзисторы малой мощностиТранзисторы маломощныеFDN340P

FDN340P, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2А; Idm: -10А; 0,5Вт, ON SEMICONDUCTOR

Арт: 302-30-860
FDN340P, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2А; Idm: -10А; 0,5Вт, ON SEMICONDUCTOR
  • добавить в избранное
  • Арт: 302-30-860
  • Наименование: FDN340P
  • Производитель: ON SEMICONDUCTOR
  • Доп.наименование: Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2А; Idm: -10А; 0,5Вт
  • Склад:
    Заказать Цены указаны без НДС

    Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2А; Idm: -10А; 0,5Вт Технические параметры
    • Case: SuperSOT-3
    • Channel kind: enhanced
    • Continuous Drain Current (Id): -2A
    • Drain current: -2A
    • Drain-source voltage: -20V
    • Drain-Source Voltage (Vds): -20V
    • Fall Time: 20ns
    • Gate charge: 10нКл
    • Gate-source voltage: ±8V
    • Gate-Source Voltage: 8V
    • Height Units: 3
    • Kind of package: tape
    • Manufacturer: ON SEMICONDUCTOR
    • Mounting: SMD
    • Mounting Type: SMD
    • MSL: Level-1
    • ON Resistance (Rds(on)): 110mΩ
    • On-State Resistance: 110mΩ
    • Operating Temperature Max.: 150°C
    • Operating Temperature Min.: -55°C
    • Package Type: SOT-23
    • Packaging: Tape & Reel
    • Phases: Single
    • Polarisation: unipolar
    • Power dissipation: 0.5W
    • Power Dissipation (Pd): 500mW
    • Pulsed drain current: -10A
    • Reflow Temperature Max.: 260°C
    • Rise Time: 10ns
    • Technology: PowerTrench®
    • Transistor Polarity: P-Channel
    • Turn-OFF Delay Time: 43ns
    • Turn-ON Delay Time: 20ns
    • Type of transistor: P-MOSFET