КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыТранзисторы малой мощностиТранзисторы маломощныеIXTP130N065T2

IXTP130N065T2, Транзистор: N-MOSFET; TrenchT2™; полевой; 65В; 130А; Idm: 330А; 41нс, IXYS

Арт:
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: IXTP130N065T2
  • Производитель: IXYS
  • Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; TrenchT2™; полевой; 65В; 130А; Idm: 330А; 41нс
  • Склад:
    Заказать Цены указаны без НДС

    Транзистор: N-MOSFET; TrenchT2™; полевой; 65В; 130А; Idm: 330А; 41нс Технические параметры
    • Case: TO220
    • Channel kind: enhanced
    • Drain current: 130A
    • Drain-source voltage: 65V
    • Gate charge: 79нКл
    • Gate-source voltage: ±20V
    • Manufacturer: IXYS
    • Mounting: THT
    • On-State Resistance: 6.6mΩ
    • Polarisation: unipolar
    • Power dissipation: 250W
    • Pulsed drain current: 330A
    • Reverse recovery time: 41ns
    • Technology: TrenchT2™
    • Type of transistor: N-MOSFET