КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыТранзисторы малой мощностиТранзисторы маломощныеFDC6312P

FDC6312P, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2,3А; 0,96Вт; SuperSOT-6, ON SEMICONDUCTOR

Арт:
FDC6312P, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2,3А; 0,96Вт; SuperSOT-6, ON SEMICONDUCTOR
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: FDC6312P
  • Производитель: ON SEMICONDUCTOR
  • Доп.наименование: Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2,3А; 0,96Вт; SuperSOT-6
  • Склад:
    Заказать Цены указаны без НДС

    Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2,3А; 0,96Вт; SuperSOT-6 Технические параметры
    • Case: SuperSOT-6
    • Channel kind: enhanced
    • Drain current: -2.3A
    • Drain-source voltage: -20V
    • Gate-source voltage: ±8V
    • Manufacturer: ON SEMICONDUCTOR
    • Mounting: SMD
    • On-State Resistance: 150mΩ
    • Polarisation: unipolar
    • Power dissipation: 0.96W
    • Type of transistor: P-MOSFET