КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыТранзисторы малой мощностиТранзисторы маломощныеFDME910PZT

FDME910PZT, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -8А; 2,1Вт; uDFN6, ON SEMICONDUCTOR

Арт:
FDME910PZT, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -8А; 2,1Вт; uDFN6, ON SEMICONDUCTOR
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: FDME910PZT
  • Производитель: ON SEMICONDUCTOR
  • Доп.наименование: Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -8А; 2,1Вт; uDFN6
  • Склад:
    Заказать Цены указаны без НДС

    Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -8А; 2,1Вт; uDFN6 Технические параметры
    • Case: uDFN6
    • Channel kind: enhanced
    • Drain current: -8A
    • Drain-source voltage: -20V
    • Gate-source voltage: ±8V
    • Manufacturer: ON SEMICONDUCTOR
    • Mounting: SMD
    • On-State Resistance: 36mΩ
    • Polarisation: unipolar
    • Power dissipation: 2.1W
    • Type of transistor: P-MOSFET