КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыТранзисторы малой мощностиТранзисторы маломощныеFDY1002PZ

FDY1002PZ, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -0,83А; 0,625Вт; SC89-6, ON SEMICONDUCTOR

Арт:
FDY1002PZ, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -0,83А; 0,625Вт; SC89-6, ON SEMICONDUCTOR
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: FDY1002PZ
  • Производитель: ON SEMICONDUCTOR
  • Доп.наименование: Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -0,83А; 0,625Вт; SC89-6
  • Склад:
    Заказать Цены указаны без НДС

    Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -0,83А; 0,625Вт; SC89-6 Технические параметры
    • Case: SC89-6
    • Channel kind: enhanced
    • Drain current: -0.83A
    • Drain-source voltage: -20V
    • Features of semiconductor devices: ESD protected gate
    • Gate-source voltage: ±8V
    • Manufacturer: ON SEMICONDUCTOR
    • Mounting: SMD
    • On-State Resistance: 850mΩ
    • Polarisation: unipolar
    • Power dissipation: 0.625W
    • Type of transistor: P-MOSFET