КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыТранзисторы малой мощностиТранзисторы маломощныеFQB9P25TM

FQB9P25TM, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -250В; -5,9А; 120Вт; D2PAK, ON SEMICONDUCTOR

Арт:
FQB9P25TM, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -250В; -5,9А; 120Вт; D2PAK, ON SEMICONDUCTOR
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: FQB9P25TM
  • Производитель: ON SEMICONDUCTOR
  • Доп.наименование: Транзистор: P-MOSFET; полевой; -250В; -5,9А; 120Вт; D2PAK
  • Склад:
    Заказать Цены указаны без НДС

    Транзистор: P-MOSFET; полевой; -250В; -5,9А; 120Вт; D2PAK Технические параметры
    • Case: D2PAK
    • Channel kind: enhanced
    • Drain current: -5.9A
    • Drain-source voltage: -250V
    • Gate-source voltage: ±30V
    • Manufacturer: ON SEMICONDUCTOR
    • Mounting: SMD
    • On-State Resistance: 620mΩ
    • Polarisation: unipolar
    • Power dissipation: 120W
    • Type of transistor: P-MOSFET