FQP7N80C, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 4,2А; 167Вт; TO220, ON SEMICONDUCTOR
Арт:
- добавить в избранное
- Арт:
- Наименование: FQP7N80C
- Производитель: ON SEMICONDUCTOR
- Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 4,2А; 167Вт; TO220
- Склад:
Технические параметры
- Drain current: 4.2A
- Channel kind: enhanced
- Polarisation: unipolar
- Gate-source voltage: ±30V
- Drain-source voltage: 800V
- Mounting: THT
- Case: TO220
- Type of transistor: N-MOSFET
- On-State Resistance: 1.9Ω
- Power dissipation: 167W