КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыТранзисторы малой мощностиТранзисторы маломощныеGAN063-650WSAQ

GAN063-650WSAQ, Транзистор: N-JFET/N-MOSFET; 650В; 24,4А; Idm: 150А; 143Вт, NEXPERIA

Арт:
GAN063-650WSAQ, Транзистор: N-JFET/N-MOSFET; 650В; 24,4А; Idm: 150А; 143Вт, NEXPERIA
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: GAN063-650WSAQ
  • Производитель: NEXPERIA
  • Доп.наименование: Транзистор: N-JFET/N-MOSFET; 650В; 24,4А; Idm: 150А; 143Вт
  • Склад:
    Заказать Цены указаны без НДС

    Транзистор: N-JFET/N-MOSFET; 650В; 24,4А; Idm: 150А; 143Вт Технические параметры
    • Case: TO247
    • Channel kind: enhanced
    • Drain current: 24.4A
    • Drain-source voltage: 650V
    • Gate charge: 15нКл
    • Manufacturer: NEXPERIA
    • Mounting: THT
    • On-State Resistance: 120mΩ
    • Polarisation: unipolar
    • Power dissipation: 143W
    • Pulsed drain current: 150A
    • Type of transistor: N-JFET/N-MOSFET