КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыТранзисторы малой мощностиТранзисторы маломощныеNTF5P03T3G

NTF5P03T3G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -4,1А; 3,13Вт; SOT223, ON SEMICONDUCTOR

Арт: 302-40-388
NTF5P03T3G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -4,1А; 3,13Вт; SOT223, ON SEMICONDUCTOR
  • добавить в избранное
  • Арт: 302-40-388
  • Наименование: NTF5P03T3G
  • Производитель: ON SEMICONDUCTOR
  • Доп.наименование: Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -4,1А; 3,13Вт; SOT223
  • Склад:
    Заказать Цены указаны без НДС

    Технические параметры
    • Case: SOT223
    • Channel kind: enhanced
    • Continuous Drain Current (Id): -5.2A
    • Drain current: -4.1A
    • Drain-source voltage: -30V
    • Drain-Source Voltage (Vds): -30V
    • Fall Time: 24ns
    • Gate-source voltage: ±20V
    • Gate-Source Voltage: 20V
    • Height Units: 4
    • Manufacturer: ON SEMICONDUCTOR
    • Mounting: SMD
    • Mounting Type: SMD
    • MSL: Level-1
    • ON Resistance (Rds(on)): 100mΩ
    • On-State Resistance: 100mΩ
    • Operating Temperature Max.: 150°C
    • Operating Temperature Min.: -55°C
    • Package Type: SOT-223
    • Packaging: Tape & Reel
    • Phases: Single
    • Polarisation: unipolar
    • Power dissipation: 3.13W
    • Power Dissipation (Pd): 3.1W
    • Reflow Temperature Max.: 260°C
    • Rise Time: 45ns
    • Transistor Polarity: P-Channel
    • Turn-OFF Delay Time: 23ns
    • Turn-ON Delay Time: 16ns
    • Type of transistor: P-MOSFET