КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыТранзисторы малой мощностиТранзисторы маломощныеNTGD4167CT1G

NTGD4167CT1G, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; комплементарная пара; 30/-30В, ON SEMICONDUCTOR

Арт:
NTGD4167CT1G, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; комплементарная пара; 30/-30В, ON SEMICONDUCTOR
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: NTGD4167CT1G
  • Производитель: ON SEMICONDUCTOR
  • Доп.наименование: Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; комплементарная пара; 30/-30В
  • Склад:
    Заказать Цены указаны без НДС

    Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; комплементарная пара; 30/-30В Технические параметры
    • Case: TSOP6
    • Channel kind: enhanced
    • Drain current: 1.9/-1.4A
    • Drain-source voltage: 30/-30V
    • Gate-source voltage: ±12V
    • Manufacturer: ON SEMICONDUCTOR
    • Mounting: SMD
    • On-State Resistance: 90/170mΩ
    • Polarisation: unipolar
    • Power dissipation: 0.9W
    • Transistor kind: complementary
    • Type of transistor: N/P-MOSFET