КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыТранзисторы малой мощностиТранзисторы маломощныеNTHL082N65S3F

NTHL082N65S3F, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 25,5А; Idm: 100А; 313Вт, ON SEMICONDUCTOR

Арт:
NTHL082N65S3F, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 25,5А; Idm: 100А; 313Вт, ON SEMICONDUCTOR
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: NTHL082N65S3F
  • Производитель: ON SEMICONDUCTOR
  • Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 25,5А; Idm: 100А; 313Вт
  • Склад:
    Заказать Цены указаны без НДС

    Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 25,5А; Idm: 100А; 313Вт Технические параметры
    • Case: TO247-3
    • Channel kind: enhanced
    • Drain current: 25.5A
    • Drain-source voltage: 650V
    • Gate charge: 81нКл
    • Gate-source voltage: ±30V
    • Kind of package: tube
    • Manufacturer: ON SEMICONDUCTOR
    • Mounting: THT
    • On-State Resistance: 82mΩ
    • Polarisation: unipolar
    • Power dissipation: 313W
    • Pulsed drain current: 100A
    • Technology: SuperFET®
    • Type of transistor: N-MOSFET