КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыТранзисторы малой мощностиТранзисторы маломощныеNTMD6P02R2G

NTMD6P02R2G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -5,7А; 2Вт; SO8, ON SEMICONDUCTOR

Арт:
NTMD6P02R2G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -5,7А; 2Вт; SO8, ON SEMICONDUCTOR
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: NTMD6P02R2G
  • Производитель: ON SEMICONDUCTOR
  • Доп.наименование: Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -5,7А; 2Вт; SO8
  • Склад:
    Заказать Цены указаны без НДС

    Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -5,7А; 2Вт; SO8 Технические параметры
    • Case: SO8
    • Channel kind: enhanced
    • Drain current: -5.7A
    • Drain-source voltage: -20V
    • Gate-source voltage: ±12V
    • Manufacturer: ON SEMICONDUCTOR
    • Mounting: SMD
    • On-State Resistance: 33mΩ
    • Polarisation: unipolar
    • Power dissipation: 2W
    • Type of transistor: P-MOSFET