КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыТранзисторы малой мощностиТранзисторы маломощныеNTZS3151PT1G

NTZS3151PT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -0,76А; 0,21Вт; SOT563-6, ON SEMICONDUCTOR

Арт:
NTZS3151PT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -0,76А; 0,21Вт; SOT563-6, ON SEMICONDUCTOR
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: NTZS3151PT1G
  • Производитель: ON SEMICONDUCTOR
  • Доп.наименование: Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -0,76А; 0,21Вт; SOT563-6
  • Склад:
    Заказать Цены указаны без НДС

    Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -0,76А; 0,21Вт; SOT563-6 Технические параметры
    • Case: SOT563-6
    • Channel kind: enhanced
    • Drain current: -0.76A
    • Drain-source voltage: -20V
    • Features of semiconductor devices: ESD protected gate
    • Gate-source voltage: ±8V
    • Manufacturer: ON SEMICONDUCTOR
    • Mounting: SMD
    • On-State Resistance: 150mΩ
    • Polarisation: unipolar
    • Power dissipation: 0.21W
    • Type of transistor: P-MOSFET