NVMFS5A160PLZT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; 100А; 200Вт; DFN5x6, ON SEMICONDUCTOR
Арт:
- добавить в избранное
- Арт:
- Наименование: NVMFS5A160PLZT1G
- Производитель: ON SEMICONDUCTOR
- Доп.наименование: Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; 100А; 200Вт; DFN5x6
- Склад:
Технические параметры
- Drain current: 100A
- Channel kind: enhanced
- Polarisation: unipolar
- Gate-source voltage: ±20V
- Drain-source voltage: -60V
- Mounting: SMD
- Case: DFN5x6
- Type of transistor: P-MOSFET
- On-State Resistance: 7.7mΩ
- Power dissipation: 200W