КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыТранзисторы малой мощностиТранзисторы маломощныеBSO613SPVGXUMA1

BSO613SPVGXUMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -3,44А; Idm: -13,8А; 2,5Вт; SO8, Infineon

Арт:
BSO613SPVGXUMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -3,44А; Idm: -13,8А; 2,5Вт; SO8, Infineon
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: BSO613SPVGXUMA1
  • Производитель: Infineon
  • Доп.наименование: Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -3,44А; Idm: -13,8А; 2,5Вт; SO8
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)
    Заказать Цены указаны без НДС

    Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -3,44А; Idm: -13,8А; 2,5Вт; SO8 Технические параметры
    • Case: SO8
    • Channel kind: enhanced
    • Drain current: -3.44A
    • Drain-source voltage: -60V
    • Gate-source voltage: ±20V
    • Manufacturer: Infineon
    • Mounting: SMD
    • On-State Resistance: 130mΩ
    • Polarisation: unipolar
    • Power dissipation: 2.5W
    • Pulsed drain current: -13.8A
    • Technology: SIPMOS™
    • Type of transistor: P-MOSFET