КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыТранзисторы малой мощностиТранзисторы маломощныеIPD042P03L3GATMA1

IPD042P03L3GATMA1, Транзистор: P-MOSFET; OptiMOSTM -P3; полевой; -30В; -70А; 150Вт, Infineon

Арт:
IPD042P03L3GATMA1, Транзистор: P-MOSFET; OptiMOSTM -P3; полевой; -30В; -70А; 150Вт, Infineon
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: IPD042P03L3GATMA1
  • Производитель: Infineon
  • Доп.наименование: Транзистор: P-MOSFET; OptiMOSTM -P3; полевой; -30В; -70А; 150Вт
  • Склад:
    Заказать Цены указаны без НДС

    Транзистор: P-MOSFET; OptiMOSTM -P3; полевой; -30В; -70А; 150Вт Технические параметры
    • Case: PG-TO252-3
    • Channel kind: enhanced
    • Drain current: -70A
    • Drain-source voltage: -30V
    • Gate-source voltage: ±20V
    • Manufacturer: Infineon
    • Mounting: SMD
    • On-State Resistance: 6.8mΩ
    • Polarisation: unipolar
    • Power dissipation: 150W
    • Pulsed drain current: -280A
    • Technology: OptiMOS™ P3
    • Type of transistor: P-MOSFET