КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыТранзисторы малой мощностиТранзисторы маломощныеIPD50P04P413ATMA1

IPD50P04P413ATMA1, Транзистор: P-MOSFET; OptiMOS® -P2; полевой; -40В; -45А; Idm: -200А, Infineon

Арт:
IPD50P04P413ATMA1, Транзистор: P-MOSFET; OptiMOS® -P2; полевой; -40В; -45А; Idm: -200А, Infineon
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: IPD50P04P413ATMA1
  • Производитель: Infineon
  • Доп.наименование: Транзистор: P-MOSFET; OptiMOS® -P2; полевой; -40В; -45А; Idm: -200А
  • Склад:
    Заказать Цены указаны без НДС

    Транзистор: P-MOSFET; OptiMOS® -P2; полевой; -40В; -45А; Idm: -200А Технические параметры
    • Case: PG-TO252-3-313
    • Channel kind: enhanced
    • Drain current: -45A
    • Drain-source voltage: -40V
    • Gate-source voltage: ±20V
    • Manufacturer: Infineon
    • Mounting: SMD
    • On-State Resistance: 12.6mΩ
    • Polarisation: unipolar
    • Power dissipation: 58W
    • Pulsed drain current: -200A
    • Technology: OptiMOS® -P2
    • Type of transistor: P-MOSFET