КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыТранзисторы малой мощностиТранзисторы маломощныеIPD80P03P4L07ATMA1

IPD80P03P4L07ATMA1, Транзистор: P-MOSFET; OptiMOS® -P2; полевой; -30В; -65А; Idm: -320А, Infineon

Арт:
IPD80P03P4L07ATMA1, Транзистор: P-MOSFET; OptiMOS® -P2; полевой; -30В; -65А; Idm: -320А, Infineon
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: IPD80P03P4L07ATMA1
  • Производитель: Infineon
  • Доп.наименование: Транзистор: P-MOSFET; OptiMOS® -P2; полевой; -30В; -65А; Idm: -320А
  • Склад:
    Заказать Цены указаны без НДС

    Транзистор: P-MOSFET; OptiMOS® -P2; полевой; -30В; -65А; Idm: -320А Технические параметры
    • Case: PG-TO252-3-11
    • Channel kind: enhanced
    • Drain current: -65A
    • Drain-source voltage: -30V
    • Gate-source voltage: -5...16V
    • Manufacturer: Infineon
    • Mounting: SMD
    • On-State Resistance: 6.8mΩ
    • Polarisation: unipolar
    • Power dissipation: 88W
    • Pulsed drain current: -320A
    • Technology: OptiMOS® -P2
    • Type of transistor: P-MOSFET