КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыТранзисторы малой мощностиТранзисторы маломощныеIPP05CN10NGXKSA1

IPP05CN10NGXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOSTM 2; полевой; 100В; 100А; Idm: 400А, Infineon

Арт:
IPP05CN10NGXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOSTM 2; полевой; 100В; 100А; Idm: 400А, Infineon
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: IPP05CN10NGXKSA1
  • Производитель: Infineon
  • Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; OptiMOSTM 2; полевой; 100В; 100А; Idm: 400А
  • Склад:
    Заказать Цены указаны без НДС

    Транзистор: N-MOSFET; OptiMOSTM 2; полевой; 100В; 100А; Idm: 400А Технические параметры
    • Case: PG-TO220-3
    • Channel kind: enhanced
    • Drain current: 100A
    • Drain-source voltage: 100V
    • Gate-source voltage: ±20V
    • Manufacturer: Infineon
    • Mounting: THT
    • On-State Resistance: 5.4mΩ
    • Polarisation: unipolar
    • Power dissipation: 300W
    • Pulsed drain current: 400A
    • Technology: OptiMOS™ 2
    • Type of transistor: N-MOSFET