КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыТранзисторы малой мощностиТранзисторы маломощныеIPP17N25S3100AKSA1

IPP17N25S3100AKSA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOSTM T; полевой; 250В; 13,3А; Idm: 68А, Infineon

Арт:
IPP17N25S3100AKSA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOSTM T; полевой; 250В; 13,3А; Idm: 68А, Infineon
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: IPP17N25S3100AKSA1
  • Производитель: Infineon
  • Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; OptiMOSTM T; полевой; 250В; 13,3А; Idm: 68А
  • Склад:
    Заказать Цены указаны без НДС

    Транзистор: N-MOSFET; OptiMOSTM T; полевой; 250В; 13,3А; Idm: 68А Технические параметры
    • Case: PG-TO220-3
    • Channel kind: enhanced
    • Drain current: 13.3A
    • Drain-source voltage: 250V
    • Gate-source voltage: ±20V
    • Manufacturer: Infineon
    • Mounting: THT
    • On-State Resistance: 100mΩ
    • Polarisation: unipolar
    • Power dissipation: 107W
    • Pulsed drain current: 68A
    • Technology: OptiMOS™ T
    • Type of transistor: N-MOSFET