КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыТранзисторы малой мощностиТранзисторы маломощныеIPP60R180P7XKSA1

IPP60R180P7XKSA1, Транзистор: N-MOSFET; CoolMOSTM P7; полевой; 650В; 11А; Idm: 53А, Infineon

Арт:
IPP60R180P7XKSA1, Транзистор: N-MOSFET; CoolMOSTM P7; полевой; 650В; 11А; Idm: 53А, Infineon
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: IPP60R180P7XKSA1
  • Производитель: Infineon
  • Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; CoolMOSTM P7; полевой; 650В; 11А; Idm: 53А
  • Склад:
    Заказать Цены указаны без НДС

    Транзистор: N-MOSFET; CoolMOSTM P7; полевой; 650В; 11А; Idm: 53А Технические параметры
    • Case: PG-TO220-3
    • Channel kind: enhanced
    • Drain current: 11A
    • Drain-source voltage: 650V
    • Features of semiconductor devices: ESD protected gate
    • Gate-source voltage: ±20V
    • Manufacturer: Infineon
    • Mounting: THT
    • On-State Resistance: 180mΩ
    • Polarisation: unipolar
    • Power dissipation: 72W
    • Pulsed drain current: 53A
    • Technology: CoolMOS™ P7
    • Type of transistor: N-MOSFET