КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыТранзисторы малой мощностиТранзисторы маломощныеIRF100P218XKMA1

IRF100P218XKMA1, Транзистор: N-MOSFET; StrongIRFET™; полевой; 100В; 341А; Idm: 836А, Infineon

Арт:
IRF100P218XKMA1, Транзистор: N-MOSFET; StrongIRFET™; полевой; 100В; 341А; Idm: 836А, Infineon
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: IRF100P218XKMA1
  • Производитель: Infineon
  • Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; StrongIRFET™; полевой; 100В; 341А; Idm: 836А
  • Склад:
    Заказать Цены указаны без НДС

    Транзистор: N-MOSFET; StrongIRFET™; полевой; 100В; 341А; Idm: 836А Технические параметры
    • Case: PG-TO247-3
    • Channel kind: enhanced
    • Drain current: 341A
    • Drain-source voltage: 100V
    • Gate-source voltage: ±20V
    • Manufacturer: Infineon
    • Mounting: THT
    • On-State Resistance: 1.28mΩ
    • Polarisation: unipolar
    • Power dissipation: 556W
    • Pulsed drain current: 836A
    • Technology: StrongIRFET™
    • Type of transistor: N-MOSFET