КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыТранзисторы малой мощностиТранзисторы маломощныеIRLB8314PBF

IRLB8314PBF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 120А; Idm: 664А; 125Вт; TO-220AB, Infineon

Арт:
IRLB8314PBF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 120А; Idm: 664А; 125Вт; TO-220AB, Infineon
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: IRLB8314PBF
  • Производитель: Infineon
  • Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 120А; Idm: 664А; 125Вт; TO-220AB
  • Склад:
    Заказать Цены указаны без НДС

    Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 120А; Idm: 664А; 125Вт; TO-220AB Технические параметры
    • Case: TO220AB
    • Channel kind: enhanced
    • Drain current: 120A
    • Drain-source voltage: 30V
    • Gate-source voltage: ±20V
    • Manufacturer: Infineon
    • Mounting: THT
    • On-State Resistance: 2.4mΩ
    • Polarisation: unipolar
    • Power dissipation: 125W
    • Pulsed drain current: 664A
    • Technology: HEXFET®
    • Type of transistor: N-MOSFET