SPP11N60C3XKSA1, Транзистор: N-MOSFET; CoolMOSTM; полевой; 650В; 7А; Idm: 33А; 125Вт, Infineon
Арт:
- добавить в избранное
- Арт:
- Наименование: SPP11N60C3XKSA1
- Производитель: Infineon
- Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; CoolMOSTM; полевой; 650В; 7А; Idm: 33А; 125Вт
- Склад:
Технические параметры
- Technology: CoolMOS™
- Drain current: 7A
- Channel kind: enhanced
- Polarisation: unipolar
- Gate-source voltage: ±20V
- Drain-source voltage: 650V
- Pulsed drain current: 33A
- Mounting: THT
- Case: PG-TO220
- Type of transistor: N-MOSFET
- On-State Resistance: 380mΩ
- Power dissipation: 125W