TK12Q60W,S1VQ(S, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 11,5А; Idm: 46А; 100Вт; IPAK, Toshiba
Арт:
- добавить в избранное
- Арт:
- Наименование: TK12Q60W,S1VQ(S
- Производитель: Toshiba
- Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 11,5А; Idm: 46А; 100Вт; IPAK
- Склад:
Технические параметры
- Drain current: 11.5A
- Channel kind: enhanced
- Polarisation: unipolar
- Gate-source voltage: ±30V
- Drain-source voltage: 600V
- Pulsed drain current: 46A
- Mounting: THT
- Case: IPAK
- Type of transistor: N-MOSFET
- On-State Resistance: 340mΩ
- Power dissipation: 100W