КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыТранзисторы малой мощностиТранзисторы маломощныеIMW120R090M1HXKSA1

IMW120R090M1HXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 18А; Idm: 50А; 58Вт; TO247, Infineon

Арт:
IMW120R090M1HXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 18А; Idm: 50А; 58Вт; TO247, Infineon
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: IMW120R090M1HXKSA1
  • Производитель: Infineon
  • Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 18А; Idm: 50А; 58Вт; TO247
  • Склад:
    Заказать Цены указаны без НДС

    Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 18А; Idm: 50А; 58Вт; TO247 Технические параметры
    • Case: TO247
    • Channel kind: enhanced
    • Drain current: 18A
    • Drain-source voltage: 1.2kV
    • Gate-source voltage: -7...23V
    • Manufacturer: Infineon
    • Mounting: THT
    • On-State Resistance: 170mΩ
    • Polarisation: unipolar
    • Power dissipation: 58W
    • Pulsed drain current: 50A
    • Technology: SiC
    • Type of transistor: N-MOSFET