КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыТранзисторы малой мощностиТранзисторы маломощныеIPG20N04S4L11ATMA1

IPG20N04S4L11ATMA1, Транзистор: N-MOSFET x2; OptiMOS™ T2; полевой; 40В; 20А; Idm: 80А, Infineon

Арт:
IPG20N04S4L11ATMA1, Транзистор: N-MOSFET x2; OptiMOS™ T2; полевой; 40В; 20А; Idm: 80А, Infineon
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: IPG20N04S4L11ATMA1
  • Производитель: Infineon
  • Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET x2; OptiMOS™ T2; полевой; 40В; 20А; Idm: 80А
  • Склад:
    Заказать Цены указаны без НДС

    Транзистор: N-MOSFET x2; OptiMOS™ T2; полевой; 40В; 20А; Idm: 80А Технические параметры
    • Case: PG-TDSON-8-4
    • Channel kind: enhanced
    • Drain current: 20A
    • Drain-source voltage: 40V
    • Gate-source voltage: ±16V
    • Manufacturer: Infineon
    • Mounting: SMD
    • On-State Resistance: 11.6mΩ
    • Polarisation: unipolar
    • Power dissipation: 41W
    • Pulsed drain current: 80A
    • Technology: OptiMOS™ T2
    • Type of transistor: N-MOSFET x2