КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыТранзисторы малой мощностиТранзисторы маломощныеIPA60R099C7XKSA1

IPA60R099C7XKSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 8А; Idm: 83А; 33Вт; TO220FP, Infineon

Арт:
IPA60R099C7XKSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 8А; Idm: 83А; 33Вт; TO220FP, Infineon
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: IPA60R099C7XKSA1
  • Производитель: Infineon
  • Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 8А; Idm: 83А; 33Вт; TO220FP
  • Склад:
    Заказать Цены указаны без НДС

    Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 8А; Idm: 83А; 33Вт; TO220FP Технические параметры
    • Case: TO220FP
    • Channel kind: enhanced
    • Drain current: 8A
    • Drain-source voltage: 650V
    • Gate charge: 42нКл
    • Gate-source voltage: ±20V
    • Kind of package: tube
    • Manufacturer: Infineon
    • Mounting: THT
    • On-State Resistance: 99mΩ
    • Polarisation: unipolar
    • Power dissipation: 33W
    • Pulsed drain current: 83A
    • Technology: CoolMOS™ C7
    • Type of transistor: N-MOSFET