Список комплектующих, который есть на нашем складе в Санкт-Петербурге и доступен для заказа.
Подробнее

КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыТранзисторы малой мощностиТранзисторы маломощныеYJ4N65CZ

YJ4N65CZ, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 4А; Idm: 16А; 100Вт; TO220AB, YANGJIE TECHNOLOGY

Арт:
YJ4N65CZ, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 4А; Idm: 16А; 100Вт; TO220AB, YANGJIE TECHNOLOGY
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: YJ4N65CZ
  • Производитель: YANGJIE TECHNOLOGY
  • Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 4А; Idm: 16А; 100Вт; TO220AB
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)
    Заказать Цены указаны без НДС

    Технические параметры
    • Drain current: 4A
    • Gate charge: 20nC
    • Channel kind: enhanced
    • Polarisation: unipolar
    • Kind of package: tube
    • Radiator thickness: max. 1.33mm
    • Gate-source voltage: ±20V
    • Drain-source voltage: 650V
    • Pulsed drain current: 16A
    • Mounting: THT
    • Case: TO220AB
    • Type of transistor: N-MOSFET
    • On-State Resistance: 2.6Ω
    • Power dissipation: 100W