YJ4N65CZ, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 4А; Idm: 16А; 100Вт; TO220AB, YANGJIE TECHNOLOGY
Арт:
- добавить в избранное
- Арт:
- Наименование: YJ4N65CZ
- Производитель: YANGJIE TECHNOLOGY
- Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 4А; Idm: 16А; 100Вт; TO220AB
- Склад:
Изображение товара дано только в качестве иллюстрации.
См. спецификацию продукта (pdf)
Технические параметры
- Drain current: 4A
- Gate charge: 20nC
- Channel kind: enhanced
- Polarisation: unipolar
- Kind of package: tube
- Radiator thickness: max. 1.33mm
- Gate-source voltage: ±20V
- Drain-source voltage: 650V
- Pulsed drain current: 16A
- Mounting: THT
- Case: TO220AB
- Type of transistor: N-MOSFET
- On-State Resistance: 2.6Ω
- Power dissipation: 100W